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牛津仪器 等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)PlasmaPro 100

产品简介:

设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能,如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下,生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。 高质量的薄膜,高产量和出色的均匀性 电极的适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶...

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详细介绍

设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能,如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下,生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。

  • 高质量的薄膜,高产量和出色的均匀性

  • 电极的适用温度范围宽

  • 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

  • 可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆

  • 成本低且易于维护

  • 电阻丝加热电极,最高温度可达400°C或1200°C

  • 实时监测清洗工艺, 并且可自动停止工艺


应用

  • 高质量PECVD沉积氮化硅 和 二氧化硅 用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途
  • 用于高亮度LED 生产的硬掩模沉积和刻蚀


特点

通过均匀的高导通路径连接的腔室,将反应粒子输送到衬底

在维持低气压的同时,允许使用较高的气体通量

高度可变的下电极

充分利用等离子体的三维特性,在最优的高度条件下,衬底厚度最大可达10mm

电极的温度范围宽(-150°C至+ 400°C),可通过液氮,液体循环制冷机或电阻丝加热

可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换

由再循环制冷机单元供给的液体控温的电极

出色的衬底温度控制

射频功率加载在喷头上,同时优化气体输送

提供具有低频/射频切换功能的均匀的等离子体工艺,可精确控制薄膜应力

ICP源尺寸为65mm,180mm,300mm 

确保最大200mm晶圆的工艺均匀性

高抽气能力

提供了更宽的工艺气压窗口

晶圆压盘与背氦制冷

更好的晶片温度控制

 


关键词:气相沉积系统
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