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牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Cobra

产品简介:

牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Cobra可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。 电极的适用温度范围宽,-150C至400C 兼容200mm以下所有尺寸的晶...

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详细介绍
 牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Cobra可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。

  • 电极的适用温度范围宽,-150°C至400°C

  • 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

  • 快速更换到不同尺寸的晶圆工艺

  • 购置成本低且易于维护

  • 紧密的设计,布局灵活

  • 实时清洗和终点监测

 
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Cobra特征

  • 牛津仪器的PlasmaPro 100系列具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力。该工艺模式可提供出色的均匀性,高产量和高精度的工艺。
  • 通过均匀的高导通路径连接的腔室,将反应粒子输送到衬底 - 在维持低气压的同时,允许使用较高的气体通量
  • 高度可变的下电极 - 充分利用等离子体的三维特性,在适合的高度条件下,衬底厚度最大可达10mm
  • 电极的温度范围宽(-150°C至+ 400°C),可通过液氮,液体循环制冷机或电阻丝加热 - 可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换
  • 由再循环制冷机单元供给的液体控温的电极 - 出色的衬底温度控制
  • 射频功率加载在喷头上,同时优化气体输送 - 提供具有低频/射频切换功能的均匀的等离子体工艺,可精确控制薄膜应力
  • ICP源尺寸为65mm,180mm,300mm - 确保最大200mm晶圆的工艺均匀性
  • 高抽气能力 - 提供了更宽的工艺气压窗口
  • 晶圆压盘与背氦制冷 - 更适合的晶片温度控制

 


 牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Cobra应用

  • III-V族材料的刻蚀工艺
  • 固体激光器InP刻蚀
  • VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
  • 射频器件低损伤GaN刻蚀
  • 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
  • 类金刚石(DLC)沉积
  • 二氧化硅和石英刻蚀
  • 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆
  • 沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜,用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途
  • 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀
ICP刻蚀是一种被广泛使用的技术,可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。等离子体能够在低气压下保持稳定,因此能够更好地控制刻蚀形貌。 Cobra® ICP刻蚀源在低气压下仍可产生高密度的反应粒子。衬底上的直流偏压由一个射频发生器独立控制, 因此可根据工艺要求控制离子能量。

电感耦合等离子体刻蚀要点

  • 高刻蚀速率
  • 出色的均匀性
  • 低气压下高密度的反应粒子
  • 精准的衬底直流偏压控制
  • 精准的离子能量控制
  • 更宽的电极温度范围 -150ºC至+400ºC


电感耦合等离子体刻蚀特点及优势

  • 高刻蚀速率可由高离子密度(> 1011 /cm3)和高自由基密度来实现
  • 能够利用低离子能量实现对选择比和损伤的控制
  • 独立的射频和电感耦合等离子体发生器分别提供了对离子能量和离子密度的独立控制, 从而实现了高度的工艺灵活性
  • 在低气压工艺下同时仍具有高离子密度,这样可以改善对外形的控制
  • 化学和离子诱导刻蚀
  • 也可以在RIE模式下运行,以满足某些慢速刻蚀的需要
  • 可用于ICP-CVD模式的沉积
  • 高导通的泵送端口可提供高气体流量,以实现快速的刻蚀速率
  • 静电屏蔽消除了电容耦合,减少了对器件的电学损伤,以及在腔室内减少了杂质颗粒的形成
  • 标准化的晶圆压盘与氦冷却,提供了出色的温度控制,同时可以选择更宽的温度范围


 


关键词:等离子体刻蚀
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