同惠 TH530-25200 半导体器件雪崩能量测试仪
名称：物性分析测试仪器
品牌：同惠
型号：TH530-25200
简介：性能特点单通道和双通道 N/P 或组合器件测试（MOSFET、IGBT 以及二极管），可测试高达 2500V 雪崩电压、200A 峰值电流等级设备支持单脉冲雪崩测试（EAS）、重复雪崩能量测试（EAR）、重复脉冲至失效测试（RPF）高速校准...
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- 产品介绍
性能特点
单通道和双通道 N/P 或组合器件测试（MOSFET、IGBT 以及二极管），可测试高达 2500V 雪崩电压、200A 峰值电流等级设备
支持单脉冲雪崩测试（EAS）、重复雪崩能量测试（EAR）、重复脉冲至失效测试（RPF）
高速校准 DAC 可提升测试精度
用户可调节的电源电压（10V 至 150V）稳定可靠
漏极、源极接触检查电路可检测 20Ω 以下的接触电阻，提供报错提示（LED）
可设栅极驱动电压（最大电压差：30V，最大电压值：28V）适应不同被测件所需
可在雪崩前、雪崩后进行可调值的泄漏测试，以确定被测件当前状态
高速固态开关，带故障检测功能
高精度的电流和电压波形捕捉以及雪崩持续时间捕捉
7 寸 24 位色 TF LCD 电容式触摸屏，中英文可选操作界面，用于单机操作、输入测试规格以及提供测试数据显示
提供指令用于用户将屏幕信息存储于 U 盘
仪器有开机自检和在线自检功能，为用户排查仪器内部故障问题
配备简单自动校准程序，用户可现场进行校准
配备多种接口：用于远程测试控制的 GPIB 接口、前后面板各配备一个的高速串行接口、支持高速传输数据的 LAN 口。LAN 口不仅可用于远程测试控制，在用户需要观测即时测试波形时，可使用 LAN 口搭配上位机程序查看每一次的波形数据
可与 TH530-01（需另外购买）可编程电感负载箱（0.01 至 159.9mH）或外部电感器配合使用
可外接示波器触发器输出，同步可视化雪崩测试过程，用于准确测量雪崩时间
标配接口
RS232、USB HOST、LAN、HANDLER
物理参数
体积（mm）：350 (W)×122 (H)×425 (D)
净重：约 50 kg
应用
功率半导体的研发与制造评估半导体器件的雪崩耐量，确保其能承受电路中感性负载关断时产生的高压尖峰，保证出厂质量的可靠性。例如：IGBT、MOSFET、功率二极管。
电源设备设计与验证验证设备在输出短路等异常情况下，功率器件是否能承受因初级电感和大电流引起的雪崩能量而不损坏。例如：开关电源、逆变器等设备的功率器件。
新能源汽车与工业驱动确保器件能应对电机启动、堵转等特殊工况下感性负载产生冲击电流和电压尖峰，确保系统安全。例如：电机控制器（如变频器、伺服驱动器）中功率开关器件。
型号 TH530-25200A TH530-25200B 雪崩电压 2500V 2500V 峰值电流 200A 200A 通道数 1 2 输出能量限制 1mJ 至 0.00495*VDD 2 mJ 1mJ 至 0.00495*VDD 2 mJ 负载电感范围 0.01mH 至 159.9mH，其中 0.01mH 至 10.0mH，步长为 0.01mH；0.02mH 至 159.9mH，步长为 0.1mH 0.01mH 至 159.9mH，其中 0.01mH 至 10.0mH，步长为 0.01mH；0.02mH 至 159.9mH，步长为 0.1mH 电流传感器类型 霍尔传感器 霍尔传感器 峰值电流范围 0.1-200A，步进为 0.1A 0.1-200A，步进为 0.1A 漏极电压范围 ±(10-150) V（N 或 P 沟道），步进 0.1V ±(10-150) V（N 或 P 沟道），步进 0.1V 额定电压范围 10-2500V，步进为 1V 10-2500V，步进为 1V 栅极导通电压范围 ±(2-28) V（N 或 P 沟道），步进为 0.1V ±(2-28) V（N 或 P 沟道），步进为 0.1V 栅极关断电压范围 0 至 (28V - 栅极导通电压)，步进为 0.1V 0 至 (28V - 栅极导通电压)，步进为 0.1V 泄漏测试（雪崩前、雪崩后） 2 至 (设定漏极电压 -2) V 2 至 (设定漏极电压 -2) V 栅极条件 栅极驱动电阻：25Ω；栅极电压精度：(-28V±0.5V) 至 (28V±0.5V)；栅极脉冲时间小于 1ms 栅极驱动电阻：25Ω；栅极电压精度：(-28V±0.5V) 至 (28V±0.5V)；栅极脉冲时间小于 1ms 交流电压输入 105 至 125VAC 和 210 至 250VAC 50/60 Hz 可选 105 至 125VAC 和 210 至 250VAC 50/60 Hz 可选 波形捕捉和分析 波形数据可在液晶屏幕上显示 波形数据可在液晶屏幕上显示 设备类型 N、P 沟道 MOSFET、IGBT、二极管 N、P 沟道 MOSFET、IGBT、二极管
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