NI PXI应对半导体阵列测试效率卡壳四大方案之新型材料器件半导体参数测试
2025-09-02
NI PXI应对半导体阵列测试效率卡壳四大方案之新型材料器件半导体参数测试
如今的新型材料器件，目前的发展趋势已经由单个单元慢慢转向大规模阵列的形式， 然而，传统的半导体参数分析仪的设计主要针对单个器件单元，当测试规模从几个通道扩展到上百上千个，如果继续沿用传统方式进行单个通道逐一测量，测试效率将面临着极大的挑战。
应用挑战
新型材料与阵列器件的测试正面临四类现实挑战：
其一，开关时间下探至纳秒/皮秒，需在可切换网络下输出并采样超短脉冲以还原瞬态；
其二，通道规模从个位到百千级，串行扫描吞吐不足，必须多通道同步并行 I-V；
其三，需在同一平台完成Rds（on）、Cgs、转移/输出曲线、1/f 噪声等全面表征；
其四，芯片内置 ADC/DAC 普及，测试需可编程数字协议与并行脉冲时序配合批量读写。
测试方案介绍
为了应对这些挑战，NI基于其高度模块化的PXI平台推出了一套面向未来计算芯片测试场景的集成式测试系统解决方案。该系统通过软硬件一体化设计，覆盖新型材料器件的单个节点，阵列，高精度，超快速脉冲等多种测试场景的需求，为新型器件验证与测试提供平台支撑。
为满足上述复杂多元的测试需求，NI在基于PXI套件中提供了四套方案，以下是第三套方案：
新型材料器件半导体参数测试
应用背景：随着新型半导体器件在高频、高压、低功耗等场景中的广泛应用，器件特性参数的准确测量变得尤为关键。传统参数测试设备在灵活性、通道扩展性和测量种类支持上难以满足研发与产线并行的需求。为解决此类问题，NI推出了基于PXI平台的半导体参数测试与分析方案，该方案适用于对MOSFET、IGBT等器件进行特性分析，也支持用户自定义参数类型的测试，尤其适合新型器件的快速验证与归档。
方案特点：软件功能支持输出特性曲线、转移特性曲线、导通电阻（Rds（on））、栅源电容（Cgs）以及1/f噪声等多种半导体参数的测量，满足对器件的全面表征需求。
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